首页 > 商品目录 > > > > BSZ130N03LSGATMA1代替型号比较

BSZ130N03LSGATMA1  与  AON7412  区别

型号 BSZ130N03LSGATMA1 AON7412
唯样编号 A-BSZ130N03LSGATMA1 A-AON7412
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),25W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20 mΩ @ 10A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta),20.8W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-DFN(3x3)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A(Ta),16A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 15nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta),35A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ130N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
AON7412 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售