首页 > 商品目录 > > > > BUK6607-55C,118代替型号比较

BUK6607-55C,118  与  IRFS3307ZPBF  区别

型号 BUK6607-55C,118 IRFS3307ZPBF
唯样编号 A-BUK6607-55C,118 A-IRFS3307ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Single N-Channel 75 V 230 W 79 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 158W 230W(Tc)
输出电容 381pF -
栅极电压Vgs 2.3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 120A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 3870pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥14.0063
100+ :  ¥10.375
400+ :  ¥8.7924
800+ :  ¥8.0664
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404

¥14.0063 

阶梯数 价格
10: ¥14.0063
100: ¥10.375
400: ¥8.7924
800: ¥8.0664
90 当前型号
IRFS3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3307 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
SPB80N06S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售