BUK6D120-60PX 与 RF4L040ATTCR 区别
| 型号 | BUK6D120-60PX | RF4L040ATTCR | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK6D120-60PX-CN | A3-RF4L040ATTCR | ||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN | Pch -60V -4A Power, DFN2020, MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 15W | 2W | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60 V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 850 pF @ 30 V | ||
| 输出电容 | 55pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | -2.5V,20V | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT1220 | 6-PowerUDFN | ||
| 工作温度 | 175°C | 150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | -8A | 4A(Ta) | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 17.3 nC @ 10 V | ||
| 输入电容 | 724pF | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 120mΩ@10V | 89mΩ@4A, 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 100 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BUK6D120-60PX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 120mΩ@10V 15W 175°C -2.5V,20V -60V -8A 车规 |
￥2.6563
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP6110SFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.97W(Ta) ±20V U-DFN2020-6(F 类) -55°C~150°C(TJ) 60V 4.2A(Ta) |
￥2.808
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48 | 对比 | ||||||||||
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SQA411CEJW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
155mΩ@-3.5A,-10V 车规 ±20V PowerPAKSC-70W-6L -55°C~175°C -6.46A -60V 13.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SQA411CEJW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
155mΩ@-3.5A,-10V 车规 ±20V PowerPAKSC-70W-6L -55°C~175°C -6.46A -60V 13.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RF4L040ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A(Ta) P-Channel ±20V 89mΩ@4A, 10V 2W 6-PowerUDFN 150°C(TJ) 60 V |
￥2.6367
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3,150 | 对比 | ||||||||||
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RF4L040ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A(Ta) P-Channel ±20V 89mΩ@4A, 10V 2W 6-PowerUDFN 150°C(TJ) 60 V |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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