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BUK6D43-40PX  与  RF4G060ATTCR  区别

型号 BUK6D43-40PX RF4G060ATTCR
唯样编号 A-BUK6D43-40PX A33-RF4G060ATTCR-1
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 15W -
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -40V -
产品特性 车规 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 880 pF @ 20 V
输出电容 106pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT1220 6-PowerUDFN
工作温度 -55°C~175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.2 nC @ 10 V
输入电容 1260pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 40 毫欧 @ 6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40 V
导通电阻Rds(On) 43mΩ@6A,10V -
库存与单价
库存 372 6,000
工厂交货期 3 - 5天 28 - 35天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥3.306
100+ :  ¥2.7119
300+ :  ¥2.319
500+ :  ¥2.2327
1,000+ :  ¥2.1753
4,000+ :  ¥2.1369
5,000+ :  ¥2.1273
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK6D43-40PX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

¥3.306 

阶梯数 价格
50: ¥3.306
100: ¥2.7119
300: ¥2.319
500: ¥2.2327
1,000: ¥2.1753
4,000: ¥2.1369
5,000: ¥2.1273
6,000 对比
RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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