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BUK6D72-30EX  与  RF4E080GNTR  区别

型号 BUK6D72-30EX RF4E080GNTR
唯样编号 A-BUK6D72-30EX A3-RF4E080GNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.6mΩ
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 15W 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
输出电容 30pF -
栅极电压Vgs 1.5V,20V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 5S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A 8A
系列 - RF4E080GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 100pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 80 200
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK6D72-30EX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 N-Channel 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规

暂无价格 80 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9165
300: ¥1.4853
500: ¥1.3991
1,000: ¥1.332
3,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.8173 

阶梯数 价格
60: ¥2.8173
100: ¥2.1657
300: ¥1.744
500: ¥1.6578
1,000: ¥1.5907
2,597 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.4175 

阶梯数 价格
40: ¥4.4175
50: ¥3.0664
100: ¥2.4244
300: ¥1.9932
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8495
2,490 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

¥2.7215 

阶梯数 价格
60: ¥2.7215
100: ¥2.0794
300: ¥1.6578
500: ¥1.5716
1,000: ¥1.5045
2,040 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 200 对比

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