BUK6D72-30EX 与 RF4E110GNTR 区别
| 型号 | BUK6D72-30EX | RF4E110GNTR | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK6D72-30EX | A36-RF4E110GNTR | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 15W | 2W | ||||||||
| 上升时间 | - | 5.5ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.4nC | ||||||||
| 输出电容 | 30pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V,20V | ±20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 11A | ||||||||
| 系列 | - | RF4E110GN | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 输入电容 | 100pF | - | ||||||||
| 下降时间 | - | 3ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V | 11.3mΩ@11A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 80 | 3,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
暂无价格 | 80 | 当前型号 | ||||||||||||
;;6.jpg)
|
RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.1964
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥1.9165
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.3094
|
2,597 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6927
|
2,295 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
￥2.1753
|
2,040 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
