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BUK762R6-60E,118  与  AUIRFS3107-7P  区别

型号 BUK762R6-60E,118 AUIRFS3107-7P
唯样编号 A-BUK762R6-60E,118 A-AUIRFS3107-7P
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5mΩ
上升时间 - 80ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 160nC
引脚数目 - 7
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 260S
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 260A
配置 - SingleQuintSource
输入电容 7629pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
下降时间 - 64ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9200pF @ 50V
高度 - 4.4mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 100 ns
漏源极电压Vds 60V 75V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 324W 370W
晶体管配置 -
输出电容 968pF -
典型关闭延迟时间 - 100ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET
通道数量 - 1Channel
Rds On(max)@Id,Vgs 2.6mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 17ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK762R6-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 324W 175°C 3V 60V 120A

暂无价格 0 当前型号
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@165A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS3107-7P Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 260A 2.5mΩ 20V 370W N-Channel 75V 车规

暂无价格 0 对比
IRFS3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB026N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 100A 2.3mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFS3006TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比

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