BUK763R1-60E,118 与 AOB266L 区别
| 型号 | BUK763R1-60E,118 | AOB266L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK763R1-60E,118 | A-AOB266L |
| 制造商 | Nexperia | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 20 |
| Td(off)(ns) | - | 36 |
| 功率耗散Pd | 293W | 268W |
| ESD Diode | - | No |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 3.8mΩ |
| Qrr(nC) | - | 145 |
| VGS(th) | - | 3.2 |
| Qgd(nC) | - | 7 |
| 输出电容 | 851pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 21 |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263 |
| 工作温度 | 175°C | - |
| 连续漏极电流Id | 120A | 140A |
| Ciss(pF) | - | 5650 |
| 输入电容 | 6685pF | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3.1mΩ@10V | 3.2mΩ@10V |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 27 |
| Coss(pF) | - | 720 |
| Qg*(nC) | - | 65* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK763R1-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3.1mΩ@10V 293W 175°C 3V 60V 120A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
￥4.1405
|
314 | 对比 | ||||||
|
IRFS7537TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IPB029N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IPB037N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
