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DG2012EDL-T1-GE3  与  FSAT66P5X  区别

型号 DG2012EDL-T1-GE3 FSAT66P5X
唯样编号 A-DG2012EDL-T1-GE3 A3t-FSAT66P5X
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
开关时间(Ton, Tof)(最大值) - 4.5ns,5.5ns
空闲时间—最大值 30ns -
电压 - 电源,单(V+) - 1.65 V ~ 5.5 V
沟道电容 (CS(off),CD(off)) - 6pF
运行时间—最大值 35ns -
导通电阻—最大值 2Ohms -
封装/外壳 SC70-6 SC-70-5
工作温度 -40°C~85°C -40°C~85°C(TA)
配置 1xSPDT -
电源电压-最小 1.8V -
电荷注入 - 0.05pC
电路数 - 1 Ohms
功率耗散Pd 0.25W -
开关电路 - SPST - 常开
开关电压—最大值 6V -
-3db 带宽 - 250MHz
开关直流 100mA -
系列 DG -
多路复用器/解复用器电路 - 1:1
导通电阻(最大值) - 15 欧姆
电压 5.5V -
电源电压-最大 5.5V -
开关数量 1Switch -
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) - 10µA
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DG2012EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

SC70-6 0.25W -40°C~85°C

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