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DMG2305UXQ-13  与  DMG2305UX-7  区别

型号 DMG2305UXQ-13 DMG2305UX-7
唯样编号 A-DMG2305UXQ-13 A3-DMG2305UX-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 - 13.7ns
Qg-栅极电荷 - 10.2nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 808 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 10.2 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 5A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
下降时间 - 34.7ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.4W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4.2A,4.5V -
典型关闭延迟时间 - 79.3ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - DMG2305
通道数量 - 1Channel
驱动电压 1.8V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 808pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.2nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 10.8ns
库存与单价
库存 0 45,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,000 对比
PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV48XP_SOT23

¥1.963 

阶梯数 价格
10: ¥1.963
100: ¥1.4541
1,000: ¥1.1272
1,500: ¥0.9239
3,000: ¥0.8323
224 对比
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.3033 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3033
15,000: ¥0.2808
0 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
IRLML2244 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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