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DMG4822SSD-13  与  AUIRF7313QTR  区别

型号 DMG4822SSD-13 AUIRF7313QTR
唯样编号 A-DMG4822SSD-13 A-AUIRF7313QTR
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ 29mΩ@6.9A,10V
上升时间 7.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W 2.4W
Qg-栅极电荷 10.5nC -
栅极电压Vgs 25V -
典型关闭延迟时间 14.6ns -
正向跨导 - 最小值 200mS -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 10A 6.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
系列 DMG4822 -
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 2.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比
AUIRF7313QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
AO4818B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥6.1882 

阶梯数 价格
480: ¥6.1882
1,000: ¥4.8694
1,500: ¥3.8081
3,000: ¥2.9703
0 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7905 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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