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DMG6402LVT-7  与  AO6424  区别

型号 DMG6402LVT-7 AO6424
唯样编号 A-DMG6402LVT-7 A-AO6424
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 35
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ 31mΩ@5A,10V
上升时间 6.2ns -
Rds On(Max)@4.5V - 43mΩ
Qg-栅极电荷 11.4nC -
Qgd(nC) - 1.3
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
Td(on)(ns) - 4.5
封装/外壳 TSOT-26 TSOP-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 6A 5A
配置 Single -
Ciss(pF) - 255
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 2.8ns -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 14.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.75W 1.25W
Qrr(nC) - 2.2
VGS(th) - 2.4
典型关闭延迟时间 13.9ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMG6402 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 498pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V -
典型接通延迟时间 3.4ns -
Coss(pF) - 45
Qg*(nC) - 2.55
库存与单价
库存 0 2,979
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.5385
100+ :  ¥1.2245
1,000+ :  ¥0.8824
1,500+ :  ¥0.7595
3,000+ :  ¥0.6
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
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