首页 > 商品目录 > > > DMN10H170SK3-13代替型号比较

DMN10H170SK3-13  与  STD6NF10T4  区别

型号 DMN10H170SK3-13 STD6NF10T4
唯样编号 A-DMN10H170SK3-13 A-STD6NF10T4
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 12A(Tc) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 140mΩ@5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售