DMN3015LSD-13 与 IRF8313TRPBF 区别
| 型号 | DMN3015LSD-13 | IRF8313TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3015LSD-13 | A-IRF8313TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | Dual N-Channel 30 V 21.6 mOhm 9 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@12A,10V | 15.5mΩ@9.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W | 2W |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.4A | 9.7A |
| 系列 | DMN3015 | HEXFET® |
| 通道数量 | 2Channel | - |
| 配置 | Dual | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1415pF @ 15V | 760pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.1nC @ 10V | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 760pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF8313TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 15.5mΩ@9.7A,10V 2W N-Channel 30V 9.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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