DMN3033LSN-7 与 IRLML0030TRPBF 区别
| 型号 | DMN3033LSN-7 | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3033LSN-7 | A-IRLML0030TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.6 mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@6A,10V | 27mΩ@5.2A,10V |
| 上升时间 | 7 ns | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 封装/外壳 | SC-59 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6A | 5.3A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 3 mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 382pF @ 15V |
| 高度 | 1.1 mm | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 1.3W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | DMN | HEXFET® |
| 通道数量 | 1 Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | 2.3V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 755pF @ 10V | 382pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.5nC @ 5V | 2.6nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.6nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 30mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 6A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23 |
暂无价格 | 3,048 | 对比 | ||||
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IRLML0030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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AO3404A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±20V 5.8A 1.4W 25mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
AO3404A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±20V 5.8A 1.4W 25mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.3769
|
0 | 对比 |
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