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DMN6066SSD-13  与  IRF7341  区别

型号 DMN6066SSD-13 IRF7341
唯样编号 A-DMN6066SSD-13 A-IRF7341
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 7.0nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 66mΩ@4.5A,10V 65mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.0W
漏源极电压Vds 60V 55V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.8W -
栅极电压Vgs - 20V
RthJA max - 62.5K/W
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.4A 3.8A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V -
QG - 24.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.22
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7341 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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