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DMN6068SE-13  与  IRFL4105TRPBF  区别

型号 DMN6068SE-13 IRFL4105TRPBF
唯样编号 A-DMN6068SE-13 A-IRFL4105TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 Single N-Channel 55 V 2.1 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ@12A,10V 45mΩ@3.7A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A 5.2A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V 660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V 35nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 660pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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