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DMN61D8LQ-13  与  DMN61D8L-7  区别

型号 DMN61D8LQ-13 DMN61D8L-7
唯样编号 A-DMN61D8LQ-13 A-DMN61D8L-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.8Ω@150mA,5V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 390mW(Ta) 390mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.8Ω@150mA,5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 12.9 pF @ 12 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.74 nC @ 5 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 0.47A 470mA(Ta)
驱动电压 - 3V,5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12.9pF @ 12V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN61D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 6,000 对比
DMN61D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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