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DMN61D8LQ-7  与  2N7002P,215  区别

型号 DMN61D8LQ-7 2N7002P,215
唯样编号 A-DMN61D8LQ-7 A-2N7002P,215
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.6Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 0.47A 360mA(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
570+ :  ¥0.2612
1,000+ :  ¥0.2025
1,500+ :  ¥0.166
3,000+ :  ¥0.1469
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.2612 

阶梯数 价格
570: ¥0.2612
1,000: ¥0.2025
1,500: ¥0.166
3,000: ¥0.1469
3,000 对比
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