首页 > 商品目录 > > > > DMN67D8LW-7代替型号比较

DMN67D8LW-7  与  DMN67D8LW-13  区别

型号 DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-13
唯样编号 A-DMN67D8LW-7 A-DMN67D8LW-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 320mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5Ω@500mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 22 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.82 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-323-3 SOT-323
连续漏极电流Id 240mA(Ta) 240mA(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 DMN67 -
驱动电压 - 5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.82nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323-3

暂无价格 0 当前型号
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比
2N7002KW MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售