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DMP2305U-7  与  RTR025P02TL  区别

型号 DMP2305U-7 RTR025P02TL
唯样编号 A-DMP2305U-7 A-RTR025P02TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ 95 毫欧 @ 2.5A,4.5V
上升时间 13ns -
Qg-栅极电荷 7.6nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 630pF @ 10V
栅极电压Vgs 500mV ±12V
封装/外壳 SOT-23 TSMT3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 2.5A(Ta)
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
下降时间 23.2ns -
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 53.8ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
系列 DMP2305 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 727pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.6nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 14ns -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2305U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
PMV50UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50UPE_SOT23

¥1.3782 

阶梯数 价格
10: ¥1.3782
100: ¥1.0209
1,000: ¥0.7914
1,500: ¥0.6487
3,000: ¥0.5844
12,699 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,470 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23

¥0.7526 

阶梯数 价格
10: ¥0.7526
100: ¥0.5575
1,000: ¥0.4322
1,500: ¥0.3543
3,000: ¥0.3135
400 对比
PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV48XP_SOT23

¥1.963 

阶梯数 价格
10: ¥1.963
100: ¥1.4541
1,000: ¥1.1272
1,500: ¥0.9239
3,000: ¥0.8323
224 对比
RTR025P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT3

暂无价格 0 对比

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