DMP2305UVT-7 与 RTQ035P02TR 区别
| 型号 | DMP2305UVT-7 | RTQ035P02TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMP2305UVT-7 | A-RTQ035P02TR |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1.25W(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@4.2A,4.5V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 727 pF @ 20 V | 1200pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 7.6 nC @ 4.5 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TSMT6(SC-95) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.2A(Ta) | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 1mA |
| 驱动电压 | 1.8V,4.5V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 65 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,4.5V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 10.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2305UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.4W ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMP2305UQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMP2305UQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
