DMP3050LVT-7 与 IRFTS9342TRPBF 区别
| 型号 | DMP3050LVT-7 | IRFTS9342TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMP3050LVT-7 | A-IRFTS9342TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.5A,10V | 40mΩ@5.8A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta) | 2W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TSOT-26 | 6-TSOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 5.8A |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 620pF @ 15V | 595pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.5nC @ 10V | 12nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 595pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRFTS9342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@5.8A,10V P-Channel 30V 5.8A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AO6401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±12V -5A 2W 47mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥0.7655
|
0 | 对比 | ||||
|
|
AO6403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V 20V -6A 2W 35mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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