首页 > 商品目录 > > > > DMP3099L-13代替型号比较

DMP3099L-13  与  DMP3099L-7  区别

型号 DMP3099L-13 DMP3099L-7
唯样编号 A-DMP3099L-13 A-DMP3099L-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 DMP3099L Series 30 V 65 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ
上升时间 - 5ns
Qg-栅极电荷 - 11nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 563 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V 1V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 5.2 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A(Ta) 3.8A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 15ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W(Ta) 1.08W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.8A,10V -
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - DMP3099
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 563pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.2nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 4.8ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3099L-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMP3099L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,000 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMP3099L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售