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DMP6180SK3-13  与  IRLR9343TRLPBF  区别

型号 DMP6180SK3-13 IRLR9343TRLPBF
唯样编号 A-DMP6180SK3-13 A-IRLR9343TRLPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK) MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@12A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 660pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 14A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 984.7pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.1nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 3.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
SPD18P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06PGBTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR9343TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
SPD18P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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