DMT32M5LPS-13 与 RS1E280BNTB 区别
| 型号 | DMT32M5LPS-13 | RS1E280BNTB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMT32M5LPS-13 | A33-RS1E280BNTB |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 100W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2 毫欧 @ 30A,10V | 2.3mΩ@28A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta),30W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流Id | 150A(Tc) | 28A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3944pF @ 25V | 5100pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | 94nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 23 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMT32M5LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 30V 150A(Tc) ±20V 2 毫欧 @ 30A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E280BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 7,640 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
￥6.0465
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2,200 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E281BNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V |
￥5.6824
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480 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
￥11.8098
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86 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 23 | 对比 |
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