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DMT6009LFG-7  与  BSZ100N06LS3GATMA1  区别

型号 DMT6009LFG-7 BSZ100N06LS3GATMA1
唯样编号 A-DMT6009LFG-7 A-BSZ100N06LS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),50W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.08W(Ta),19.2W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V 3500pF @ 30V
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A(Ta),34A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 23uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Ta),20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
BSZ100N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

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