FCD900N60Z 与 STD9N60M2 区别
| 型号 | FCD900N60Z | STD9N60M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FCD900N60Z | A3-STD9N60M2 |
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@2.3A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 52W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 720pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 517,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STD9N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 517,500 | 对比 | ||||||||||
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STD7NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A |
暂无价格 | 105,000 | 对比 | ||||||||||
|
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STD5NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | ||||||||||
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IPD65R950C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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AOD950A70 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@1A,10V -55°C~150°C |
￥3.6735
|
1,990 | 对比 |
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