FCH072N60F 与 SPW47N60CFD 区别
| 型号 | FCH072N60F | SPW47N60CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FCH072N60F | A-SPW47N60CFD |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.21mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72m Ohms@26A,10V | 83mΩ |
| 上升时间 | - | 30ns |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 481W(Tc) | 417W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 100ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247 | - |
| 连续漏极电流Id | 52A | 46A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | FRFET®,SuperFET® II | CoolMOSCFD |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 8660pF @ 100V | - |
| 长度 | - | 16.13mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 215nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - |
| 下降时间 | - | 15ns |
| 高度 | - | 21.1mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 240 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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R6047ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A |
暂无价格 | 470 | 对比 | ||||||
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SPW47N60CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 46A 83mΩ 20V 417W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||
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SCT3060ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) TO-247-3 39A 165W 60mΩ 650V 5.6V |
¥135.591
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6 | 对比 | ||||||
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R6046FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
¥64.48
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3 | 对比 | ||||||
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IPW65R095C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 24A 84mΩ 20V 128W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |