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FCP104N60F  与  IPP60R125CFD7XKSA1  区别

型号 FCP104N60F IPP60R125CFD7XKSA1
唯样编号 A-FCP104N60F A-IPP60R125CFD7XKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 104m Ohms@18.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1503pF @ 400V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 37A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 390uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
系列 HiPerFET™,Polar™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6130pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 145nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 125 毫欧 @ 7.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220

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阶梯数 价格
1: ¥35.2728
25: ¥28.98
50: ¥23.7636
549 对比
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TO-220F

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TO-220-3

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