首页 > 商品目录 > > > > FCPF190N60代替型号比较

FCPF190N60  与  STF24NM60N  区别

型号 FCPF190N60 STF24NM60N
唯样编号 A-FCPF190N60 A3-STF24NM60N
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mOhm MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 30W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220F-3 TO-220FP
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 25,850
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF190N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F-3

暂无价格 0 当前型号
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 25,850 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 12,850 对比
STF21N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 3,000 对比
IPA65R190C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R190C7_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比
IPA60R160P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R160P6_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售