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FCPF850N80Z  与  IPAN60R800CEXKSA1  区别

型号 FCPF850N80Z IPAN60R800CEXKSA1
唯样编号 A-FCPF850N80Z A-IPAN60R800CEXKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 27W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V -
上升时间 10 ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 373pF @ 100V
Pd - 功率消耗 28.4 W -
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 6A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.2nC @ 10V
配置 Single -
Ciss - 输入电容 990 pF -
标准断开延迟时间 40 ns -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 800 毫欧 @ 2A,10V
最低工作温度 - 55 C -
Vgs(最大值) - ±20V
最高工作温度 + 150 C -
Qg - 闸极充电 22 nC -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 4.5 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 28.4W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 170uA
FET功能 - 超级结
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.4A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF850N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

Tube TO-220-3

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