FDD10AN06A0 与 DMTH6010LK3-13 区别
| 型号 | FDD10AN06A0 | DMTH6010LK3-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-FDD10AN06A0 | A36-DMTH6010LK3-13 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA | MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252-3 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 14.8A(Ta),70A(Tc) | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.1W(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 8mΩ@20A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2090 pF @ 30 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 41.3 nC @ 10 V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,464 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDD10AN06A0 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.134
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74,148 | 对比 | ||||||||||||||
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DMTH6010LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~175°C(TJ) 60V 14.8A(Ta),70A(Tc) |
￥3.025
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4,464 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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319 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2610 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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