| 型号 | FDG6332C | AO7600 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDG6332C | A-AO7600 |
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Dual N & P-Channel 20 V 300 mOhm PowerTrench Mosfet SC70-6 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300m Ohms@700mA,4.5V | 300mΩ@900mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | 300mW |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SC-88(SC-70-6) | SC-70 |
| 连续漏极电流Id | 0.7A/0.6A | 0.9A,0.6A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 113pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 120pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 1.9nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDG6332C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
700mA,600mA 300m Ohms@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N+P-Channel 20V 0.7A/0.6A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AO7600 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
300mΩ@900mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 20V 0.9A,0.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |