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FDMS86500L  与  BSC028N06NSATMA1  区别

型号 FDMS86500L BSC028N06NSATMA1
唯样编号 A-FDMS86500L A-BSC028N06NSATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),104W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5 毫欧 @ 25A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 Power 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 25A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12530pF @ 30V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),104W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 50uA
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 30V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 12530pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86500L ON Semiconductor 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power

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