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FDN304P  与  NTR4101PT1G  区别

型号 FDN304P NTR4101PT1G
唯样编号 A-FDN304P-1 A36-NTR4101PT1G
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 52 mOhm 1.8V Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 500mW(Ta) 420mW(Ta)
功率 500mW(Ta) -
漏源极电压Vds 20V 20V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SuperSOT-3 SOT-23
连续漏极电流Id 2.4A 3.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1312pF @ 10V 675pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V 8.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
导通电阻Rds(On) 52 毫欧 @ 2.4A,4.5V 85m Ohms@1.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1312pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 36,125
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.5057
1,500+ :  ¥0.4589
3,000+ :  ¥0.429
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN304P ON Semiconductor 通用MOSFET

2.4A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 52m Ohms@2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 2.4A 52 毫欧 @ 2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3

暂无价格 0 当前型号
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
36,125 对比
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel

暂无价格 18,000 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 15,000 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
11,335 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.4W(Ta) 52mΩ@4.2A、4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 4.2A

暂无价格 10,000 对比

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