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FDN308P  与  NX2301P,215  区别

型号 FDN308P NX2301P,215
唯样编号 A-FDN308P A-NX2301P,215
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 125 mOhm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3 P-Channel 20 V 120 mOhm 400 mW Surface Mount Trench Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 0.4W
输出电容 - 135pF
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SuperSOT SOT23
连续漏极电流Id 1.5A -2A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V -
输入电容 - 380pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 120mΩ@1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 15,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
570+ :  ¥0.573
1,000+ :  ¥0.4442
1,500+ :  ¥0.3641
3,000+ :  ¥0.3222
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN308P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 0 当前型号
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 21,500 对比
NX2301P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX2301P_SOT23

¥0.573 

阶梯数 价格
570: ¥0.573
1,000: ¥0.4442
1,500: ¥0.3641
3,000: ¥0.3222
15,000 对比
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 6,000 对比
AO3419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5128 

阶梯数 价格
1: ¥0.5128
100: ¥0.4082
1,000: ¥0.2941
1,500: ¥0.2532
3,000: ¥0.2
2,775 对比
DMP2225LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

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