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FDN327N  与  ZXMN2B14FHTA  区别

型号 FDN327N ZXMN2B14FHTA
唯样编号 A-FDN327N-2 A36-ZXMN2B14FHTA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20V 70 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3 N-channel 20 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 55mΩ@3.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta)
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 872pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 4,425
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.1038
100+ :  ¥1.683
750+ :  ¥1.496
1,500+ :  ¥1.4119
3,000+ :  ¥1.3558
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN327N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥1.0164 

阶梯数 价格
50: ¥1.0164
200: ¥0.7007
1,500: ¥0.6376
3,000: ¥0.5945
27,000 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.5731 

阶梯数 价格
90: ¥0.5731
200: ¥0.4667
1,500: ¥0.4251
3,000: ¥0.3965
25,878 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥2.5394 

阶梯数 价格
60: ¥2.5394
100: ¥1.8974
300: ¥1.4662
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
4,000: ¥1.2745
5,000: ¥1.2649
19,414 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥2.5394 

阶梯数 价格
60: ¥2.5394
100: ¥1.8974
300: ¥1.4662
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
4,000: ¥1.2745
5,000: ¥1.2649
5,574 对比
ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±8V 1W(Ta) 55mΩ@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.3A

¥2.1038 

阶梯数 价格
30: ¥2.1038
100: ¥1.683
750: ¥1.496
1,500: ¥1.4119
3,000: ¥1.3558
4,425 对比

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