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FDN337N  与  AO3402  区别

型号 FDN337N AO3402
唯样编号 A-FDN337N-2 A-AO3402
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V 52mΩ@4A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±8V ±12V
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 4A
Ciss(pF) - 235
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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