FDN337N 与 DMG3402L-7 区别
| 型号 | FDN337N | DMG3402L-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDN337N-2 | A3-DMG3402L-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 500mW(Ta) | 1.4W(Ta) |
| 功率 | 500mW(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 52mΩ@4A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 464 pF @ 15 V |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 11.7 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | 4A(Ta) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 驱动电压 | - | 2.5V,10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 12,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.5544
|
244,256 | 对比 | ||||||||||
|
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||
|
SI3400A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.2235
|
9,809 | 对比 | ||||||||||
|
RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥0.9394
|
9,000 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
￥0.6578
|
6,000 | 对比 |
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