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FDS3672  与  IRF7853PBF  区别

型号 FDS3672 IRF7853PBF
唯样编号 A-FDS3672-1 A-IRF7853PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 100 V 2.5 W 28 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V 18mΩ@8.3A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 7.5A 8.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2015pF @ 25V 1640pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V 39nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1640pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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