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FDS4685  与  RS1G201ATTB1  区别

型号 FDS4685 RS1G201ATTB1
唯样编号 A-FDS4685 A-RS1G201ATTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 40 V 27 mO 1.2 W PowerTrench Mosfet SOIC-8 MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 27m Ohms@8.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6890pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-HSOP
连续漏极电流Id 8.2A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1872pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Ta),78A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4685 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C

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IRF7241PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

41mΩ@6.2A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 40V 6.2A 8-SO

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AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

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-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

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