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FDS4935BZ  与  IRF7328TRPBF  区别

型号 FDS4935BZ IRF7328TRPBF
唯样编号 A-FDS4935BZ A-IRF7328TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@6.9A,10V 21mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW 2W
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 8A
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 15V 2675pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 78nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2675pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 78nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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