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FDS6690A  与  DMG4710SSS-13  区别

型号 FDS6690A DMG4710SSS-13
唯样编号 A-FDS6690A A-DMG4710SSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.5m Ohms@11A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.54W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12.5mΩ@11.7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1849 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 43 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 11A 8.8A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1205pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
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8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
DMG4710SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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