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FDS8447  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 FDS8447 RS6G120BGTB1
唯样编号 A-FDS8447 A32-RS6G120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W(Ta) 104W
漏源极电压Vds 40V 40V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 12.8A 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 10.5m Ohms@12.8A,10V 1.34mΩ@90A,10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥24.5132
100+ :  ¥14.4658
500+ :  ¥12.9693
1,000+ :  ¥11.7578
2,500+ :  ¥9.7625
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8447 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 10.5m Ohms@12.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.8A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4484 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 40V ±20V 10A 1.7W 10mΩ@10A,10V -55°C~150°C

¥2.5809 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.5809
0 对比
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V

暂无价格 0 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A

¥14.3945 

阶梯数 价格
10: ¥14.3945
100: ¥8.4799
500: ¥7.6248
1,000: ¥6.9122
2,500: ¥5.7722
2,500 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥24.5132 

阶梯数 价格
10: ¥24.5132
100: ¥14.4658
500: ¥12.9693
1,000: ¥11.7578
2,500: ¥9.7625
2,500 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A

¥8.4134 

阶梯数 价格
20: ¥8.4134
50: ¥6.3532
100: ¥5.7495
300: ¥5.3566
500: ¥5.28
1,000: ¥5.2129
2,000: ¥5.1841
2,489 对比

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