| 型号 | FDS86141 | AO4292E |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS86141 | A36-AO4292E-1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | FDS86141 Series 100 V 7 A 23 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - SO-8 | Single - N |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 6.3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23m Ohms@7A,10V | 23mΩ@8A,10V |
| ESD Diode | - | Yes |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 33mΩ |
| Qgd(nC) | - | 2.5 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | - | 7 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 7A | 8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | - | 1200 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| Trr(ns) | - | 20 |
| Td(off)(ns) | - | 20 |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.1W |
| Qrr(nC) | - | 80 |
| VGS(th) | - | 2.7 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 934pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 93 |
| Qg*(nC) | - | 8 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 26 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS86141 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4292E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.123
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14,811 | 对比 | ||||||||||||
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AO4292E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 26 | 对比 | ||||||||||||
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AO4292E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 14 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7853PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@8.3A,10V N-Channel 100V 8.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4292E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.6864
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0 | 对比 |
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