FDS8878 与 DMN4800LSSL-13 区别
| 型号 | FDS8878 | DMN4800LSSL-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS8878 | A3-DMN4800LSSL-13 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 10.2A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 897pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 14m Ohms@10.2A,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDS8878 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.9737
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9,859 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥1.469
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4,238 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥7.6248
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 |
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