| 型号 | FDS8884 | AO4466 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS8884 | A-AO4466 |
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 41 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23m Ohms@8.5A,10V | 23mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 35mΩ |
| Qgd(nC) | - | 1.6 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 4.3 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 8.5A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 373 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 6 |
| Td(off)(ns) | - | 15.8 |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.1W |
| Qrr(nC) | - | 6.6 |
| VGS(th) | - | 2.6 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 635pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 67 |
| Qg*(nC) | - | 3.5 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON2406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2B N-Channel 20V ±8V 8A 2.8W 12.5mΩ@8A,4.5V -55°C~150°C |
￥2.0513
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1,999 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4404B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 12V 8.5A 3.1W 24mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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