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IPA60R165CPXKSA1  与  R6020ENX  区别

型号 IPA60R165CPXKSA1 R6020ENX
唯样编号 A-IPA60R165CPXKSA1 A-R6020ENX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 660uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 12A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥25.9989
100+ :  ¥13.8834
500+ :  ¥10.0377
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阶梯数 价格
1: ¥25.9989
100: ¥13.8834
500: ¥10.0377
500 对比

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