IPA80R650CE 与 R8009KNXC7G 区别
| 型号 | IPA80R650CE | R8009KNXC7G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPA80R650CE | A-R8009KNXC7G |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 59W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 650mΩ | - |
| Rth | 3.8K/W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 900 pF @ 100 V |
| RthJA max | 80.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V | - |
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | - |
| 工作温度 | -40°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 27 nC @ 10 V |
| Ptot max | 33.0W | - |
| QG | 45.0nC | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 600 毫欧 @ 4.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| Budgetary Price €/1k | 1.02 | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| Moisture Level | NA | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins | - |
| Mounting | THT | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4.5V @ 5mA |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 800 V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IPA80R650CE | Infineon | 功率MOSFET |
650mΩ 800V 4.5A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.1V,3.9V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
￥52.502
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200 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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